結晶欠陥計測装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258402
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083080
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、結晶表面近傍のマイクロラフネス、結晶欠陥、表面異物のいずれかを計測する計測方法において、それぞれが他の計測に与える影響を分離したマイクロラフネス、結晶欠陥、表面異物の計測、評価が可能である半導体検査方法と装置を提供することを目的とする。【解決手段】2波長の照射光を結晶試料に照射し、各波長別のヘイズを異なる2方向の検出方向で検出することにより、結晶表面近傍の深さの異なる界面のマイクロラフネスの計測が可能となり、またヘイズの発生原因であるマイクロラフネスと高密度内部欠陥または表面異物の影響を分離したヘイズ計測が可能となる。また、結晶欠陥計測または表面異物計測とヘイズ計測を同時に行うことにより、ヘイズの影響を分離した結晶欠陥または表面異物の評価が可能となる。

請求項（抜粋）：

固体中に光を照射し固体表面または内部からの散乱光を検出することにより、固体表面または内部の欠陥、表面異物、表面ラフネスのいずれかを計測する方法において、固体に対する侵入深さが異なる2波長の光を照射し、前記表面ラフネスに起因するヘイズを各波長別に同時計測することを特徴とする半導体検査装置。

IPC (3件)：

G01N 21/27 , G01B 11/30 , G01N 21/956

FI (3件)：

G01N 21/27 B , G01B 11/30 A , G01N 21/956 A

Fターム (45件)：

2F065AA11 , 2F065AA50 , 2F065AA60 , 2F065BB22 , 2F065BB23 , 2F065CC19 , 2F065FF42 , 2F065FF43 , 2F065FF49 , 2F065GG04 , 2F065GG23 , 2F065HH04 , 2F065HH09 , 2F065HH12 , 2F065JJ01 , 2F065JJ05 , 2F065JJ15 , 2F065LL04 , 2F065LL20 , 2F065MM03 , 2F065MM04 , 2F065PP12 , 2F065QQ03 , 2F065QQ33 , 2F065SS01 , 2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051AB20 , 2G051BA04 , 2G051CA03 , 2G051CA06 , 2G051CB05 , 2G051EA03 , 2G051EA12 , 2G059AA05 , 2G059BB08 , 2G059BB16 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE11 , 2G059HH06 , 2G059MM04 , 2G059MM05 , 2G059MM09

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