無電解めっき可能な樹脂絶縁層用組成物及びそれを用いた配線基板製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170663
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012504
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】形成した樹脂絶縁層上に直接無電解めっきにより導体皮膜を形成可能な樹脂絶縁層用組成物と、これを用いた配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の組成物は、形成した絶縁層上にめっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有するようにし、そしてこれを用いて配線基板を製造する際には、被処理基板上に皮膜を形成し、この皮膜の未硬化又は半硬化の状態で、皮膜表面のキレート配位子に所定の金属のイオンを補足させ、次いで皮膜を硬化させて絶縁層を形成し、そしてこの絶縁層上に無電解めっきによりめっきを析出させる。

請求項（抜粋）：

形成した絶縁層上にめっきしようとする金属のイオン、又はこのめっきしようとする金属の析出を促進する触媒となる金属のイオンを補足する能力のあるキレート配位子を含有する高分子化合物を含有していることを特徴とする樹脂絶縁層用組成物。

IPC (6件)：

C09D 5/25 , C09D 5/00 , C09D 7/12 , C23C 18/31 , H05K 1/03 610 , H05K 3/18

FI (7件)：

C09D 5/25 , C09D 5/00 C , C09D 7/12 Z , C23C 18/31 A , H05K 1/03 610 S , H05K 3/18 E , H05K 3/18 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭50-140860
特開昭50-141535

審査官引用 (2件)

特開昭50-140860
特開昭50-141535

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