特許

J-GLOBAL ID：200903042246607362

接続孔の形成方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293689
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 自己整合コンタクト・プロセスにおいて、ゲート電極3を取り囲む絶縁膜の膜減りに起因する絶縁耐圧の劣化を防止する。【解決手段】 DRAMの記憶ノード・コンタクト形成において、SiOx層間絶縁膜7を成膜する前に、ゲート電極3を被覆するオフセット酸化膜4とサイドウォール5の一部を化学機械研磨等の平坦化手段により水平に除去し、サイドウォール5pのコーナー部(角の部分)をゲート電極3のエッジから距離d1 だけ遠ざける。つまり、サイドウォール5pの断面形状を、従来に比べて肩の張り出した形状とする。これにより、SiOx層間絶縁膜7にコンタクトホールを開口するためのドライエッチングを行う際にイオン・スパッタ作用によりコーナー部が若干の膜減りを起こしても、ゲート電極3の周囲に十分な厚さの絶縁膜を残すことができる。

請求項（抜粋）：

基板上にオフセット絶縁膜と側壁絶縁膜とに囲まれた電極パターンを形成し、かかる基体の全面を少なくとも層間絶縁膜で被覆し、少なくとも該層間絶縁膜を選択的に除去することにより底面の一部が少なくとも該側壁絶縁膜上にかかる様な接続孔を開口する接続孔の形成方法において、前記側壁絶縁膜を、その上部水平寸法と底部水平寸法とを近付けるごとく形成する接続孔の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 29/78 301 L