特許

J-GLOBAL ID：200903042247521550

光電変換装置及びその作製方法

発明者： 坂倉 真之 ,  荒井 康行 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018097
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204817
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】不純物ガスを添加せずに微結晶半導体膜と非晶質半導体膜とを成膜する工程と、微結晶半導体に不純物元素を注入する工程とを分離して行うことにより、光電変換装置の生産性を高める。【解決手段】有機樹脂基板上に、第1の電極と、光電変換層と、第2の電極とを積層してなるユニットセルを、一つまたは複数個接続して構成される光電変換装置の作製方法において、第1の電極を形成する工程と、N型またはP型の導電型決定不純物元素を添加しないで第1の微結晶半導体膜を形成する工程と、実質的に真性な非晶質半導体膜を形成する工程と、N型またはP型の導電型決定不純物元素を添加しないで第2の微結晶半導体膜を形成する工程と、をプラズマCVD法で行い、第2の電極を形成する工程の後、P型の導電型決定不純物元素を、第2の電極の表面から、第2の微結晶半導体膜に注入して加熱処理を施す工程と、を行い光電変換装置を作製する。

請求項（抜粋）：

有機樹脂基板上に、第1の電極と、光電変換層と、第2の電極とを積層してなるユニットセルを、一つまたは複数個接続して構成される光電変換装置の作製方法において、前記光電変換層は、第1の電極に密接して、n型またはp型の導電型決定不純物元素を添加しないで第1の微結晶半導体膜を形成する工程と、実質的に真性な非晶質半導体膜を形成する工程と、n型またはp型の導電型決定不純物元素を添加しないで第2の微結晶半導体膜を形成する工程と、p型の導電型決定不純物元素を、前記第2の微結晶半導体膜に注入する工程と、少なくとも、前記第1の微結晶半導体膜と、第2の微結晶半導体膜と、に加熱処理を加えて、第1のn型の微結晶半導体膜と、第2のp型の微結晶半導体膜と、を得る工程と、を有し、かつ、前記第1及び第2の微結晶半導体膜と、実質的に真性な非晶質半導体膜と、を形成する工程に、同一の反応室に設けられた、同一のグロー放電プラズマ発生手段を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-177376
  
• 特開平2-000377
  
• 特開昭57-067020
  

審査官引用 (4件)

• 特開平2-177376
  
• 特開平2-000377
  
• 特開平2-177376
  
• 特開平2-000377