特許

J-GLOBAL ID：200903042250502710

半導体多層膜の形成方法および半導体レーザの製造方法

発明者： 萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156522
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175607
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 第1に、所望のキャリア濃度分布を有し、再現性よく形成できるn型半導体層を含む半導体多層膜の形成方法を提供し、第2に、AlGaInP層中のドーパントの拡散を抑制し、AlGaInP系半導体レーザの素子特性と歩留まりを高めることができる半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-AlInP電流狭窄層11成長中にn型ドーパントガスのH2 Seと同時にp型ドーパントガスのジメチル亜鉛(DMZ)を添加する。【効果】 p-AlGaInP第1クラッド層4中のP型ドーパント濃度を低下させず、しかもPN接合位置ズレやGaInP活性層3の結晶構造の無秩序化を誘発しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にn型ドーパントを添加して得るn型半導体層を含む半導体多層膜の形成方法であって、前記n型半導体層を形成する際に、n型ドーパントとともにp型ドーパントを添加することを特徴とする半導体多層膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-003176
  
• 特開平3-062584
  
• 特開平4-249391