特許
J-GLOBAL ID：200903042253770635
インテリジェントパワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-142254
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】IPMに収納されている負荷電流を流すすべてのIGBTの過熱保護動作を試験で確認できるようにする。【解決手段】並列接続されたIGBT1とIGBT11のコレクタ端子2、12からエミッタ端子3、13に向かって負荷電流を流し、第1、第2定電流回路21、22でD1とD2に一定の微小な検出電流を流す。負荷電流によりIGBT1とIGBT11が温度上昇でD5とD15の温度も上昇する。温度上昇とともにD5およびD15のオン電圧は低下する。切変え器30の電源端子40にある電圧を印加すると第1コンパレータの信号がNAND回路41に伝送され、別の電圧を与えると第2コンパレータの信号がNAND回路41に伝送されるようにする。このNAND回路41からの信号でIGBT1、2を遮断する。電源端子の印加電圧を選定することで、個別にIGBTの過熱保護動作の確認試験を行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と該半導体素子の温度検出用のダイオードとが集積された半導体チップが複数個収納されているインテリジェントパワーモジュールにおいて、各温度検出用のダイオードのアノード端子が個別のコンパレータのプラス端子にそれぞれ接続され、該個別のコンパレータのマイナス端子が共通の基準電圧に接続され、個別のコンパレータの出力端子が切換え器を介してNAND回路の一方の入力端子に接続され、NAND回路の他方の入力端子に外部信号が入力され、前記切換え器が外部電源と接続する電源端子を有し、前記NAND回路の出力端子がNOT回路の入力端子に接続され、NOT回路の出力端子が複数の半導体素子のゲート端子に共通に接続され、前記温度検出用のダイオードのカソード端子がアース端子に接続されていることを特徴とするインテリジェントパワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01K 7/00 391 C
, H01L 21/66 H
