特許

J-GLOBAL ID：200903042255369997

不揮発性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器

発明者： 日高 規男 ,  山元 真一郎
出願人/特許権者： 日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306844
公開番号（公開出願番号）：特開平11-144478
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリの書き換え回数を実効的に増大させることが可能な不揮発性半導体メモリの情報記憶方法を提供する。【解決手段】 複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導体メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモリの情報記憶方法において、制御カウンタを設け、前記制御カウンタのカウント値に基づいて、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアを選択し、当該選択された記憶エリアに情報を記憶し、また、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御カウンタのカウント値をカウントアップする。

請求項（抜粋）：

複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導体メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモリの情報記憶方法において、制御カウンタを設け、前記制御カウンタのカウント値に基づいて、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアを選択し、当該選択された記憶エリアに情報を記憶し、また、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御カウンタのカウント値をカウントアップすることを特徴とする不揮発性半導体メモリの情報記憶方法。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/02 510 ,  H04N 5/907

FI (3件)：

G11C 17/00 601 B ,  G06F 12/02 510 A ,  H04N 5/907 B