特許

J-GLOBAL ID：200903042259612632

スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材

発明者： 町野 毅 ,  大内 幸弘 ,  高橋 昭雄 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070942
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用焼結ターゲット材の高密度化をはかる。【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、ZrO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.01〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有する高密度焼結体からなる。

請求項（抜粋）：

重量%で、酸化スズ:5〜15%、酸化ジルコニウムおよび酸化イットリウムのうちの1種または2種:0.01〜5%、を含有し、残りが酸化インジウムと不可避不純物からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有することを特徴とするスパッタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲット材。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C01G 25/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503