特許

J-GLOBAL ID：200903042262369765

半導体受光素子

発明者： 大村 悦司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224398
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079011
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 高速応答可能な半導体受光素子を提供する。【構成】 絶縁膜105上のボンディングパッド106aを、ドット状に形成された複数の支持領域7と、受光領域104及び金ワイヤ107を接続するための接続領域6とで構成する。【効果】 ワイヤボンディングによって金ボール108は支持領域7に固着されるとともに、金ワイヤ107は接続領域6で受光領域104と電気的に接続される。そして、ボンディングパッド106aが絶縁膜105に密着してn-InP層103と向かい合っている面積を小さくして寄生容量を小さくする。寄生容量が小さくなることによって半導体受光素子の高速応答が可能になる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層上に形成された受光領域と、前記受光領域の周囲の前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記受光領域の一部に接続した接続領域及び該接続領域と分離して離散的に設けられた複数の支持領域からなる、ワイヤボンディングのための電極とを備える、半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 31/10 H ,  H01L 31/10 A