特許

J-GLOBAL ID：200903042264300770

半導体レーザ

発明者： 青木 修
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268315
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,III 族-V族化合物半導体気相成長により作成する半導体レーザの構造に係り、特に歪活性層を有する半導体レーザの構造の改良に関し、不純物のドーピング方法を改善し、歪超格子を活性層に持つレーザ構造の活性層ドーピングを可能にし、デバイスにしたときに低しきい値化して高品質のデバイスを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に、少なくとも二周期以上の歪みウェル層2とバリア層3とで構成される歪超格子からなる活性層4を有する半導体レーザダイオードであって、活性層4の下層から中間までの領域にn型不純物5がドーピングされてなるように、また、バリア層3のみにn型不純物のドーピングがなされたように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に、少なくとも二周期以上の歪みウェル層(2) とバリア層(3) とで構成される歪超格子からなる活性層(4) を有する半導体レーザダイオードであって、該活性層(4) の下層から中間までの領域にn型不純物がドーピングされてなることを特徴とする半導体レーザ。