特許
J-GLOBAL ID：200903042264580358
不純物の拡散方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189174
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055813
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 不純物の拡散方法に関し、非酸化性雰囲気において長時間の熱処理を要することなく、イオン注入された不純物を深く拡散する。【構成】 半導体基板に不純物をイオン注入したのち、主要加熱源以外に注入した不純物の固有格子振動の吸収波長に相当する赤外光を照射しながらアニールする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物をイオン注入したのち、前記不純物の固有格子振動の吸収波長に相当する波長の光を照射しながらアニールすることを特徴とする不純物の拡散方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 A
, H01L 21/26 L
