特許

J-GLOBAL ID：200903042266284446

半導体装置及びその製造方法

発明者： 品川 浩文 ,  林田 弘之 ,  豊島 義明
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094968
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】拡散層の接合深さを浅く保ったまま、拡散用配線のコンタクト抵抗を低くする。【構成】シリコン基板1表面に設けられた素子分離用絶縁膜2と、この絶縁膜のエッジ部から前記基板のシリコン領域上の一部に突出形成され前記素子分離用絶縁膜2より薄い絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜2上およびそのエッジ部付近の薄い絶縁膜上に形成された第1の金属シリサイド膜14と、前記薄い絶縁膜に隣接するシリコン領域上に形成された第2の金属シリサイド膜14と、前記薄い絶縁膜と前記シリコン領域の境界付近に設けられ前記第1、第2の金属シリサイド膜間をつなぐ第3の金属シリサイド膜とを具備した。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に設けられた素子分離用絶縁膜と、この絶縁膜のエッジ部から前記基板のシリコン領域上の一部に突出形成され前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜上およびそのエッジ部付近の薄い絶縁膜上に形成された第1の金属シリサイド膜と、前記薄い絶縁膜に隣接したシリコン領域上に形成された第2の金属シリサイド膜と、前記薄い絶縁膜と前記シリコン領域の境界付近に設けられ前記第1、第2の金属シリサイド膜間をつなぐ第3の金属シリサイド膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-162563