特許
J-GLOBAL ID：200903042273750576
相補型薄膜電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131022
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 良好な周波数特性を実現することができるCMOSTFTを得る。【構成】 絶縁基板上に積層されたソース領域半導体層、チャンネル領域半導体層及びドレイン領域半導体層を切断した端面の半導体層でMOSFETの動作領域を構成し、切断端面にゲート絶縁層を形成し、絶縁層上にゲート電極を形成することによりMOSTFTを構成する。このような構成のMOSTFTを2個積層して設け、一方をPMOSTFT、他方をNMOSTFTとすることによりCMOSTFT構成とする。また、積層された半導体層に開孔部を形成しこの開孔部の切断端面を利用してCMOSTFTを対向して形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に複数の半導体層が積層して形成され、該積層して形成された複数の半導体層を切断して端面が形成され、該端面上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に導電層が形成され、前記複数の半導体層が各々MOSFETのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域とされ、前記絶縁層がMOSFETのゲート絶縁膜とされ、前記導電層がMOSFETのゲート電極とされることによって薄膜電界効果トランジスタを構成し、該薄膜電界効果トランジスタを前記積層して形成された半導体層により2個積層し、該2個積層された薄膜電界効果トランジスタの一方をN型とし、他方をP型とすることによって構成された相補型薄膜電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 29/78 311 G
, H01L 27/08 321 D
