特許
J-GLOBAL ID：200903042281483994
薄膜コンデンサ内蔵電子回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017997
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216051
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】本発明は、有機絶縁膜と導体薄膜との密着性を確保し、かつ形成プロセス進行に伴う膜剥離現象の抑止が可能な電子回路基板及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】有機絶縁層1上にAl等からなる第一導体薄膜層2を形成し、その上層にTaあるいはその窒化物からなる第二導体薄膜層3を形成し、これを陽極酸化することにより薄膜コンデンサを形成する。
請求項（抜粋）：
有機絶縁体を有し、かつ陽極酸化可能な導体薄膜を形成し、該陽極酸化可能な導体薄膜を陽極酸化することにより形成される酸化膜を誘電体する薄膜コンデンサを内蔵する電子回路基板において、表面の少なくとも一部に有機絶縁体が露出する基板表面上に第一導体薄膜層を形成し、その上層に陽極酸化可能な導体からなる第二導体薄膜層を形成し、該第二導体薄膜層を陽極酸化することにより酸化膜を形成し、該酸化膜を薄膜コンデンサの誘電体とすることを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵電子回路基板。
Fターム (10件)：
5E082AB03
, 5E082BC32
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE24
, 5E082EE37
, 5E082FG03
, 5E082FG27
, 5E082FG44
, 5E082KK01
