特許

J-GLOBAL ID：200903042283573702

高静電容量ダマスク・コンデンサ

発明者： ムクル サラン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249410
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118173
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 銅相互接続線路を使用した集積回路では、小さい面積の高静電容量構造が必要である。【解決手段】 コンデンサは、上面を有する第1電導層と、底面を有する第2電導層と、第1金属層の上面と第2金属層の底面とに隣接する誘電体層と、を含む。さらに、第1電導層は銅であり、第2電導層は、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、炭化シリコン、及びその合金から構成される群から選択された材料であり、誘電体層は窒化シリコンである。

請求項（抜粋）：

集積回路コンデンサにおいて、上面を有する第1金属層と、前記第1金属層上のエッチ停止バリア層と、前記エッチ停止バリア層上の電導層と、前記エッチ停止バリア層と前記電導層との上の誘電体層と、前記誘電体層の上の第2金属層と、を備えた集積回路コンデンサ。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/90 A

Fターム (41件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV10 ,  5F033XX03 ,  5F033XX34 ,  5F038AC05 ,  5F038EZ20