特許

J-GLOBAL ID：200903042284388798

圧電素子及びその加工方法

発明者： 長浦 善昭
出願人/特許権者： 長浦 善昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110788
出願日： 1999年10月09日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 従来困難とされた、製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具、及びその加工方法を提供する。【解決手段】 一面又は両面を、凹レンズ形状に加工した水晶板を、両面研磨加工機械を使用して、上と下から、同時に研磨加工し、Plano-convexType に研磨加工する、圧電素子の研磨加工手段とし、振動部分の口径に対する、振動部分の厚さの比(d/t)を80程度とする加工方法。

請求項（抜粋）：

水晶板を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板(例えば、水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE(Reactive Ion Etching)加工、又は化学的なWetエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、60μmとする)を、除去した後、化学的な、DRY Etching 加工(以下、RIE、又はプラズマエッチングとする)又は化学的な、Wetエッチング加工によって発生した数μmの凸凹(例えば、RIE加工にて、60μm除去すると、約0.2μmから3μmの、ダメージ層、又は加工変質層、又は凸凹が発生する)を、再度、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工手段によって研磨加工をする、水晶板などの圧電素材、又はシリコンなどの電子材料を加工することを特徴とする、圧電素子の加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 41/09 ,  H03H 3/02

FI (3件)：

H03H 3/02 B ,  H01L 21/302 F ,  H01L 41/08 C

Fターム (13件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5J108MM11