特許

J-GLOBAL ID：200903042286332277

半導体ウェーハの洗浄方法

発明者： 小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333700
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166777
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの洗浄効果を低下させること無く、洗浄工程を簡略化し、複合汚染の発生しない半導体ウェーハの洗浄方法を提供することにある。【構成】 上記目的は、フッ化水素、塩酸、過酸化水素水および純水よりなる洗浄液を用いることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成される。

請求項（抜粋）：

フッ化水素、塩酸、過酸化水素水および純水よりなる洗浄液を用いることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。