特許

J-GLOBAL ID：200903042289374620

半導体装置,及びその製造方法

発明者： マルクス ディートハード ,  川津 善平 ,  早藤 紀生
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321725
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162125
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上に高品質なGaN系化合物半導体層が形成された半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板1と、Si基板1上に形成された、GaAs又はAsからなるストレス吸収層2と、ストレス吸収層2上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物からなるバッファ層3と、バッファ層3上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物半導体層4とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上に形成された、GaAsからなるストレス吸収層と、該ストレス吸収層上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物からなるバッファ層と、該バッファ層上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物半導体層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18