特許
J-GLOBAL ID：200903042290192463
磁気抵抗効果素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259530
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 金属人工格子膜の特性を生かした構成により、室温・低印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を得る。【構成】 厚さ5〜50Åの金属磁性薄膜層と厚さ5〜50Åの金属非磁性薄膜層とを積層した構造からなる金属人工格子膜をパタ-ニングし、該金属人工格子膜を流れる電流方向と感知すべき磁界方向が平行となるように構成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。【効果】 室温でかつ実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示し、特性のばらつきが小さく、又軟磁気特性とMR特性のバランスのとれた磁気抵抗効果素子が得られる。
請求項（抜粋）：
パタ-ニングされた磁気抵抗効果材料に電流を流し、外部磁界により上記磁気抵抗効果材料の抵抗が変化することにより外部磁界強度を感知する磁気抵抗効果素子において、上記パタ-ニングされた磁気抵抗効果材料に流す電流の方向の大部分が上記外部磁界とほぼ平行となるように構成され、かつ上記磁気抵抗効果材料が厚さ5〜50Åの磁性薄膜層と厚さ5〜50Åの金属非磁性薄膜層を交互に積層した構造から成る金属人工格子膜で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
