特許

J-GLOBAL ID：200903042296430749

保護ダイオード製造方法および保護ダイオード

発明者： 大木 強師
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380653
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185018
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 基板上に作成された保護ダイオードにおけるp型半導体層の側面での寄生容量をなくし、高周波特性を向上させる。【解決手段】 保護ダイオードは、基板1上に形成されたn型半導体層2上にp型半導体層3が形成されており、そのp型半導体層3上に電極8が形成されている。p型半導体層3の周囲には、エッチング開口部4が設けられている。p型半導体層のエッジ部が露出しているので、p型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。

請求項（抜粋）：

基板上にn型半導体層を形成するステップと、前記n型半導体層の一部を露出させるステップと、前記n型半導体層の露出部分にp型半導体層を形成するステップと、前記n型半導体層の一部および前記p型半導体層のエッジ部分をエッチングすることにより、前記p型半導体層のエッジ部分を露出させるステップと、前記p型半導体層の上部に電極を形成するステップとを備えることを特徴とする保護ダイオード製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/329

FI (7件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 K

Fターム (15件)：

4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104FF03 ,  4M104FF07 ,  4M104GG02 ,  4M104HH18 ,  5F038AV04 ,  5F038BH04 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20