膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：白井重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049184
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、CMP耐性に優れた膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 、R2 Si(OR1 )3 およびSi(OR1 )4 の群から選ばれた少なくとも1種と、R2 s (R1 O)3-s SiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOp-PPOq-PEOr(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、PPOはポリプロピレンオキサイド単位、pは2〜200、qは20〜80、rは2〜200の数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに溶媒、を含有する膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、(A-2)下記一般式(2)で表される化合物および(A-3)下記一般式(3)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種と、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)一般式PEOp-PPOq-PEOr(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、PPOはポリプロピレンオキサイド単位、pは2〜200、qは20〜80、rは2〜200の数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09D183/14 , C08L 71/02 , C08L 83/06 , C09D171/02 , H01L 21/312

FI (5件)：

C09D183/14 , C08L 71/02 , C08L 83/06 , C09D171/02 , H01L 21/312 C

Fターム (31件)：

4J002CH022 , 4J002CP031 , 4J002EC037 , 4J002EC047 , 4J002EE027 , 4J002EE047 , 4J002EH007 , 4J002EH037 , 4J002EH057 , 4J002EL067 , 4J002EP017 , 4J002EU027 , 4J002EU077 , 4J002EU237 , 4J002EX036 , 4J002GQ01 , 4J038DF022 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038JC32 , 4J038KA06 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 5F058AA03 , 5F058AA04 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

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