特許
J-GLOBAL ID：200903042303017577
シロキサン系薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-039149
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：
【要約】【課題】 膜厚を薄く制御することが可能で、極めて簡単な方法で安価に効率よくピンホールのない密着性の良いシロキサン系薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 濃度2重量%のオクタデシルトリエトキシシランのヘキサデカン溶液に、洗浄したスライドガラス(ほう珪酸ガラス)基板を浸漬させ、110°Cで10分間加熱し、次いでクロロホルムの入った容器中に基板を浸漬し、クロロホルムを攪拌して10分間のクロロホルム洗浄を行い、更に流水で10分間の水洗を行うことにより、水に対する接触角が97 ゚、膜厚2nmのシロキサン系単分子膜が基板上に形成される。
請求項（抜粋）：
アルコキシ基を有するシラン化合物と基体を接触させてシロキサン系薄膜を基体表面上に作製する工程、およびその後余分なシラン化合物を除去するための洗浄工程を含むことを特徴とするシロキサン系薄膜の形成方法。
引用特許：
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