MIM液晶パネルおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174978
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341325
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】高開口率で、高画質なMIM液晶パネルを提供すること。【構成】透明画素電極1と金属配線4の間に厚さ0.5μm以上でパターンニングが可能な絶縁厚膜2を挟んだ3重構造とし、絶縁厚膜に設けた穴5の部分で陽極酸化処理で形成した絶縁皮膜3と透明画素電極1を直接接続してMIM素子を形成する。あるいは、前記絶縁厚膜として、電着カラ-フィルタ-を用いることで、カラ-MIM基板構造とする。【効果】従来必要であった、タンタル配線と透明画素電極間の隙間が不要となり、高開口率が得られる。また、タンタル配線と透明画素電極間の横電界が解消するので、配向不良が発生しにくくなり、高画質のMIM液晶パネルを提供できる。

請求項（抜粋）：

金属-絶縁体-導電体3層構造からなるいわゆるMIM素子を有するアクティブマトリクス方式液晶表示装置において、行または列電極となる金属配線と画素を形成する透明画素電極の間が厚さ0.5μm以上の層間絶縁膜により分離された3重構造を有し、前記層間絶縁膜に設けた穴でMIM素子を形成することを特徴とするMIM液晶パネル。

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