特許
J-GLOBAL ID：200903042307436930
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106045
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297175
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハなどの被処理体に対してプラズマ処理を行う場合、プラズマ中のイオンの追従性を良好にして、小さいパワーでもイオンを効率よく加速させて被処理体に入射させる。【構成】 処理容器2内のサセプタ5に印加する高周波電力の周波数を、処理ガス固有の下端イオン遷移周波数よりも低い周波数とし、上部電極21に印加する高周波電力の周波数を、前記処理ガス固有の上端イオン遷移周波数よりも高い周波数とすることによって、プラズマ中のイオンの追従性を良好にできる。
請求項（抜粋）：
処理室内に処理ガスを導入すると共に、この処理室内に対向して設けられた第1の電極と第2の電極とに、それぞれ高周波電力を印加してプラズマを発生させ、この処理室内の被処理体に対して、前記プラズマ雰囲気の下で所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記第1の電極に印加する高周波電力の周波数は、前記第2の電極に印加する高周波電力の周波数よりも低いものとし、さらに前記処理ガス固有の下端イオン遷移周波数よりも低い周波数の高周波電力を前記第1の電極に印加し、前記処理ガス固有の上端イオン遷移周波数よりも高い周波数の高周波電力を前記第2の電極に印加することを特徴とする、プラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/31
H01L 21/302 C
, H01L 21/31 C
