特許
J-GLOBAL ID：200903042307887223
半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303460
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 p型化合物半導体に対して、十分な付着強度を有し、かつ接触抵抗が低く、さらに、半導体層と合金化が生じにくい電極構造を有する半導体発光素子を提供することを目的とするものである。【解決手段】 p型半導体に対して付着強度の高い第1の金属層と、p型半導体に対するドーパントであるII族元素を含んだ第2の金属層とを積層し、熱処理することによって、第2の金属層のII族元素をp型半導体層に拡散させて接触抵抗を低下させる。第1の金属層にII族元素を予め含有させても良い。このようにすれば、電極の付着強度を維持しつつ、接触抵抗を低下することができる。しかも、素子の劣化の原因となるAuなどの金属が拡散侵入しない。
請求項（抜粋）：
複数の化合物半導体層を積層した積層構造体の表面のp型コンタクト領域の上に実質的にII族元素を含まない第1の金属層を堆積し、前記第1の金属層の上にII族元素とII族元素以外の金属元素とを含む第2の金属層を堆積した後に、熱処理された半導体素子であって、前記第2の金属層に含まれている前記II族元素以外の前記金属元素は、前記第1の金属層を介して前記p型コンタクト領域まで実質的に拡散しておらず、前記第2の金属層に含まれていた前記II族元素の一部は前記第1の金属層を介して前記p型コンタクト領域に拡散侵入して、前記p型コンタクト領域の表面キャリア濃度を上昇させることにより、前記p型コンタクト領域と前記第1の金属層との接触抵抗が低減するものとして構成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 H
