特許

J-GLOBAL ID：200903042308921506

分散型エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法

発明者： 松本 賢一 ,  近久 陽介 ,  田邉 功二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029458
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233257
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 各種電子機器のバックライト用等に用いられる分散型エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法に関し、製造工数を大幅に削減すると共に、発光ムラが少ない分散型エレクトロルミネセンス素子を提供することを目的とする。【解決手段】 光透過性電極付フィルムであるフィルム基材29上にエクストルージョン型のダイノズル22に設けた吐出口26A,26B,26Cから一回の印刷動作で発光体層4、誘電体層5、背面電極層6形成用のペースト34A,34B,34Cを同時に均一な厚みに重ねて塗布形成するようにしたため、製作工数を大幅に削減できると共に、発光体層中の蛍光体粉を均一に分散させることができ、発光ムラの少ない高品質な分散型エレクトロルミネセンス素子を実現できる。

請求項（抜粋）：

光透過性の絶縁フィルム上に少なくとも光透過性電極層、発光体層、誘電体層、背面電極層を積層して構成される分散型エレクトロルミネセンス素子の各層のうち、少なくとも二種類の重なり合う層をそれぞれ形成するためのペーストを、エクストルージョン型のノズルに設けた吐出口から一回の印刷動作で同時に重なるように吐出させてそれぞれの層を形成する分散型エレクトロルミネセンス素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/26 A