特許
J-GLOBAL ID：200903042318065373
半導体基材製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶 良之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289544
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 後工程における手待ち時間を十分に短縮することができると共に、大口径の半導体ウエハに使用される半導体基材を製造する場合においても破損や不具合が生じ難いものとする。【解決手段】 密閉状態にされた処理室7で半導体材料であるシリコン16をカーボン基板56の基板面に結晶析出させることによって、シート状のシリコン結晶シート75を製造するものである。処理室7を形成する真空タンク4と、シリコン16を融液とするように加熱しながら収容する溶解炉装置30と、カーボン基板56の複数を周方向に配置すると共に、この周方向への旋回によりカーボン基板56をシリコン16に順に浸漬させて一定時間後に引き上げる旋回析出機構10とを有している。
請求項（抜粋）：
密閉状態にされた処理室で半導体材料をカーボン基板の基板面に結晶析出させることによって、シート状の半導体基材を製造する半導体基材製造装置であって、前記処理室を形成する真空タンクと、前記半導体材料を融液とするように加熱しながら収容する溶解炉装置と、前記カーボン基板の複数を周方向に配置すると共に、該周方向への旋回により前記カーボン基板を前記半導体材料に順に浸漬させて一定時間後に引き上げる旋回析出機構とを有することを特徴とする半導体基材製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/208 D
, C01B 33/02 E
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072NN01
, 4G072RR30
, 4G072UU01
, 5F053AA03
, 5F053BB08
, 5F053BB14
, 5F053BB41
, 5F053BB52
, 5F053DD01
, 5F053DD03
, 5F053FF05
, 5F053HH05
