特許

J-GLOBAL ID：200903042319446753

荷電粒子ビーム投射方法およびその装置

発明者： 梅村 馨 ,  川浪 義実 ,  早田 康成 ,  間所 祐一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230965
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097122
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 ステンシルマスクを用いた荷電粒子ビーム装置において、マスク枚数を削減し、ビーム照射量が部分的に異なる荷電粒子ビーム照射方法とこれを実現する荷電粒子ビーム照射装置を提供することを目的とする。【構成】 荷電粒子の透過できるステンシルマスクに荷電粒子ビームを照射し、ステンシルマスクを透過した荷電粒子ビームでステンシルマスクのパターンを試料上に投射する荷電粒子ビーム投射方法において、上記ステンシルマスク上への上記荷電粒子ビームの照射量をパターンによって変える。【効果】 ステンシルマスクのパターンを部分的にビーム照射量を変えて試料に投射できるので、ステンシルマスクの枚数を削減でき、加工のスループットの向上と、複数マスク使用時に見られた合わせ誤差の軽減の効果がある。

請求項（抜粋）：

荷電粒子の透過できる貫通孔または凹部から成るパターンを有するステンシルマスクに荷電粒子ビームを照射し、該ステンシルマスクを透過した上記荷電粒子ビームで上記ステンシルマスクの縮小パターンを試料上に投射する荷電粒子ビーム投射方法において、上記ステンシルマスクへの上記荷電粒子ビームの照射量を上記パターンによって変えることを特徴とする荷電粒子ビーム投射方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/04 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/305

FI (2件)：

H01L 21/30 541 R ,  H01L 21/30 551