特許

J-GLOBAL ID：200903042325987804

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006949
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216462
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 活性層上に底部面積が小さい形状のリッジ部をエッチングにより容易に形成できる半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 活性層3上にエッチング停止層を形成し、その上に積層方向にエッチングレートが小さいリッジ形状調整層6を積層してエッチングを施す。リッジ形状調整層6の活性層3側ではサイドエッチングの程度が大きく、側面が基板1に対して略垂直に形成されたリッジ形状調整層6、及びエッチング停止層によりリッジ部が形成されている。

請求項（抜粋）：

活性層に対し基板と反対側にエッチングによりリッジ部を形成し、その周りを電流ブロック層で埋め込んだ半導体レーザにおいて、前記リッジ部は、エッチングを停止させる組成のエッチング停止層と、該エッチング停止層上に積層され、活性層側から積層方向に段階的又は連続的にエッチングレートが小さくなる組成のリッジ形状調整層とで形成されていることを特徴とする半導体レーザ。