特許
J-GLOBAL ID：200903042331694436

絶縁膜の評価方法および装置

発明者：
津留 清宏

津留 清宏 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116236
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子に利用される絶縁膜に電流を印加した後、その絶縁膜が絶縁破壊されたかどうかの判定を行う方法の提供。【解決手段】 半導体素子に利用される絶縁膜に任意の時間のあいだ電流Iiを通電して、電圧Viを測定する。次に、前記絶縁膜に任意の時間のあいだ電流Ii+1(|Ii+1|≧|Ii|)を通電して、電圧Vi+1を測定する。次に、ViとVi+1との差を比較する。Vcheckを任意の値とした時、次のような関係がある時、前記絶縁膜が絶縁破壊されたと、判定する。|Vi+1|-|Vi|≦-|Vcheck|判定式1または |Vi+1|-|Vi| < -|Vcheck| 判定式2
請求項（抜粋）：
半導体素子に利用される絶縁膜に電流を印加する電流源と、前記絶縁膜に電流を印加した時に生じる電圧を測定する電圧計を有する回路を制御するシステムにおいて、前記絶縁膜に第1の電流を任意の時間のあいだ通電して生じる第1の電圧を測定する手順と、前記絶縁膜への前記第1の電流の通電を遮断する手順と、前記絶縁膜に前記第1の電流よりも電流の絶対値の大きい第2の電流を任意の時間のあいだ通電して生じる第2の電圧を測定する手順と、前記絶縁膜への第2の電流の通電を遮断する手順と、前記第1の電圧の絶対値と前記第2の電圧の絶対値を比較する手順と、前記第1の電圧の絶対値が前記第2の電圧の絶対値よりも、任意の正の値だけ大きい時、前記絶縁膜が絶縁破壊されたと判定する手順とからなる絶縁膜の評価方法。
IPC (2件)：
G01R 31/12 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01R 31/12 Z ,  H01L 21/66 Q
Fターム (12件)：
2G015AA01 ,  2G015AA24 ,  2G015BA04 ,  2G015CA06 ,  2G015CA20 ,  4M106AA20 ,  4M106BA20 ,  4M106CA14 ,  4M106DH04 ,  4M106DH19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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