特許
J-GLOBAL ID：200903042332711393
受光素子アレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119872
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100796
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 クロストークおよび迷光による受光素子の特性の劣化を防止できる受光素子アレイを提供する。【解決手段】 n-InP基板20上に、n-InP層22,i-InGaAs層24,n-InP層26が積層され、n-InP層26内にZnが拡散されてp型拡散領域28が形成され、pinフォトダイオードが作られている。この構造上に、絶縁膜30が、無反射条件となるような膜厚に成膜される。この絶縁膜30上に、受光素子間を覆うように遮光層32が設けられる。
請求項（抜粋）：
受光素子を多数配列した受光素子アレイにおいて、受光素子間に遮光層が設けられていることを特徴とする受光素子アレイ。
Fターム (16件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA04
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049PA09
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049RA04
, 5F049SZ03
, 5F049SZ10
, 5F049SZ12
, 5F049TA06
, 5F049TA12
, 5F049TA14
, 5F049WA01
