特許
J-GLOBAL ID:200903042333742136

半導体装置ならびにその検証装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-319618
公開番号(公開出願番号):特開平11-154709
出願日: 1997年11月20日
公開日(公表日): 1999年06月08日
要約:
【要約】【課題】 回路シミュレーションにおける精度の保持と規模の削減とを両立させ、クロストークによるノイズ、ディレイシミュレーションを短時間で行うことができ、回路特性向上による半導体装置の品質向上、レイアウト検証期間・工数の削減を実現することができる半導体装置の検証技術を提供する。【解決手段】 デジタル信号を扱うLSIの検証装置であって、各種プログラム、データなどの情報を格納するデータベース、データベース、ユーザ独自あるいは処理中の情報などを格納するファイル、検証結果などの情報を表示するディスプレイ、各種プログラムを実行するプログラム実行部45〜54などから構成され、上位x個のパラ容量は非接地とし、残りの容量は接地化して縮約し、また静的負荷チェックでも誤動作条件を判定し、この誤動作ネットの切り出しも最大パラ容量に接続する全素子を検出してクロストークシミュレーションを行う。
請求項(抜粋):
クロストークを考慮した半導体装置であって、全てのネットに対し、クロストークの影響を考慮した上で所望の特性を満たすように配線されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件):
H01L 21/82 W ,  H01L 21/82 T ,  H01L 27/04 D

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