特許

J-GLOBAL ID：200903042335434307

変調器集積半導体レーザ及び変調器集積半導体レーザを使用した半導体レーザ装置

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085781
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザの数を増やすことなく広い範囲の発振波長のレーザ光を発することができる変調器集積半導体レーザ及び変調器集積半導体レーザを使用した半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 半導体基板2におけるレーザ部4が形成された部分の裏面にレーザ部用ペルチェクーラ12を、半導体基板2における光変調部7が形成された部分の裏面に光変調部用ペルチェクーラ14を対応するサブマウント13,15を介してそれぞれ設け、レーザ部4と光変調部7の温度調整を独立して行うようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された少なくとも1つの半導体レーザで構成されるレーザ部と、半導体基板上に形成され該レーザ部からのレーザ光に対して光変調を行って外部へ射出する光変調器を有する光変調部と、上記レーザ部の温度調整を独立して行う第1温度調整部と、上記光変調部の温度調整を独立して行う第2温度調整部と、を備えることを特徴とする変調器集積半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/50 630

FI (2件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/50 630

Fターム (18件)：

5F073AA21 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB12 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073EA02 ,  5F073FA25 ,  5F073GA02 ,  5F073GA13 ,  5F073GA14 ,  5F073GA22 ,  5F073GA23 ,  5F073GA24