特許

J-GLOBAL ID：200903042336646790

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者： 清宮 健司 ,  小田 淳
出願人/特許権者： 茨城日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250748
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086230
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 磁性抵抗効果膜の磁区の乱れを少なくしてバルクハウゼンノイズを抑制し、安定でしかも高い再生出力の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る。【解決手段】 再生用ヘッドの再生素子を形成するため、上下の再生ギャップの間にSAL膜および非磁性導電膜および磁性抵抗効果膜および一対の縦バイアス効果膜および一対の電極を積層するとき、一対の縦バイアス効果膜の幅を2.0μm〜4.0μmとする。

請求項（抜粋）：

アルミニウム-チタニウム-カーボンの非磁性基板の上にニッケル-鉄合金の下部磁気シールド膜を形成し、前記下部磁気シールド膜の上に酸化アルミニウム膜の第一の再生ギャップを形成し、前記第一の再生ギャップの中央部の上にコバルト-ジルコニウム-モリブデン合金の軟磁性隣接層膜を形成し、前記軟磁性隣接層膜上にタンタリウムの非磁性導電膜を形成し、前記非磁性導電膜の上にニッケルー鉄合金の磁性抵抗効果膜を形成し、前記磁性抵抗効果膜の上にリードトラック幅以上の間隔を設けて幅Wの1対のニッケル-マガン合金の縦バイアス効果膜を形成し、前記1対の縦バイアス効果膜に対応して前記縦バイアス効果膜および前記第一の再生ギャップの端部の上に前記リードトラック幅と同じ間隔の1対の電極を形成し、前記1対の電極の上に酸化アルミニウムの第二の再生ギャップを形成し、前記第二の再生ギャップの上にニッケル-鉄合金の上部磁気シールド膜を形成した再生素子を再生用ヘッドとして用い、薄膜ヘッドを記録用ヘッドとして用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記1対の縦バイアス効果膜のそれぞれの幅Wを2.0μm〜4.0μmとしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。