特許

J-GLOBAL ID：200903042338378165

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道 ,  青柳 秀樹
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076733
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 GaAsよりもバンドギャップが大きいGaAs0.87P0.13の薄膜(1800Å程度)をGaAs0.74P0.26の上に結晶成長させて、レーザ光が照射されることにより偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子を構成した。【効果】 図4において「○」印で示すように、最大偏極率が得られる波長が一点鎖線で示されているGaAsの場合よりも短波長側へシフトし、810〜830nm程度の波長で最大偏極率が得られるようになり、励起レーザとして小型で安価な半導体レーザ等の使用が可能となる。

請求項（抜粋）：

第1半導体と、該第1半導体の上に結晶成長させられた該第1半導体とは格子定数が僅かに異なる第2半導体とを備え、該第2半導体にレーザ光が照射されることによりスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記第2半導体をGaAs1-x Px (混晶比x>0)にて構成したことを特徴とする偏極電子線発生素子。

IPC (2件)：

H01J 1/34 ,  H01J 37/073