特許

J-GLOBAL ID：200903042340039556

凹凸表面の形成方法および凹凸表面基板

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130665
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【構成】 たとえば金属などの基板12上に、所定条件下で、アモルファスSi層14と結晶Si層16とが混在されたSi膜18を形成する。アモルファスSi層14の上面からは結晶Si層16の一部が島状に突出する。加熱すると、結晶Si層16の結晶速度がアモルファスSi層14のそれより大きくなるので、結晶Si層16が大きく成長し、大きな凹凸表面を有するSi層18が基板12上に堆積される。【効果】 基板上に大きな凹凸表面を形成できる。

請求項（抜粋）：

(a) アモルファスシリコンと結晶シリコンとを含むシリコン層を形成し、そして(b) 前記シリコン層の前記結晶シリコンを選択的に結晶成長させて前記シリコン層に凹凸表面を形成する、凹凸表面の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 M