特許

J-GLOBAL ID：200903042342953476

スルーホール導体形成方法

発明者： 堀 厚生 ,  村井 智彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050283
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251863
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 電子回路において使用されるスルーホール形成方法において、メッキ工程を使用せず基板表面を裏面との導通をとることのできるスルーホール導体形成方法を提供することを目的とする。【構成】 スルーホール内壁面にスパッタリングにより金属膜を形成する工程と、基板上にレジスト8を形成する工程と、レジスト8のスルーホール部分以外を除去する工程と、レジストの突起部を平滑化する工程とを順次行なうことにより、メッキ工程を必要とせず、スルーホール導体を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

スルーホールを有する基板上での薄膜回路形成法において、スルーホール内壁面をスパッタリングにより金属膜コーティングを施す工程と、基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストのスルーホール部分以外を除去する工程と、レジストの突起部を平滑化する工程とを順次行なうことを特徴とするスルーホール導体形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/40 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/06

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 B