特許

J-GLOBAL ID：200903042343540396

電力用ショットキバリアダイオード

発明者： 奥村 三郎 ,  土江 康夫 ,  中村 泰美
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205219
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 ショットキバリア金属と、酸化膜を防止し、設計どうりの耐圧を得る。【解決手段】 N型半導体基板2の一方の表面の一部にP型半導体層4のガードリングが形成され、上記ガードリングの外側周端部に酸化膜6を有し、上記一方の表面のショットキバリアダイオードにおいて、酸化膜上にアルミニウム層8が形成され、上記アルミニウム層上を含めて、ショットキバリア金属層が形成されている。

請求項（抜粋）：

N型半導体基板の一方の表面の一部にP型半導体層のガ-ドリングが形成され、上記ガ-ドリングの外側の表面の周端部に酸化膜を有し、上記一方の表面にショットキバリア金属層を有する電力用ショットキバリアダイオ-ドにおいて、上記酸化膜上にアルミニウム層が形成され、上記アルミニウム層上を含めて上記ショットキバリア金属層が形成されたことを特徴とする電力用ショットキバリアダイオード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭50-153584
  
• 特開昭51-146179
  
• 特開昭62-295452
  
• 特開平2-105465