特許
J-GLOBAL ID：200903042347750859
フレキシブル型太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055784
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259494
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】カルコパイライト系化合物薄膜を高分子フィルムの電極層上に形成してa-Si薄膜を用いたものより変換効率の高いフレキシブル型太陽電池を得る。【構成】めっき法で表面に電極層を備えた高分子フィルム基板上に形成したカルコパイライト系化合物のCuInSe2 などの結晶性を、基板を零下の温度に保持してレーザアニールすることにより改善するので、高分子フィルムが損傷することがない。
請求項（抜粋）：
表面に電極層を備えたフィルム基板上に光活性層となるカルコパイライト系化合物からなる半導体薄膜を形成する際に、三元系カルコパイライト系化合物の構成元素を含んだ電解質溶液を用いてめっき法により前記化合物の薄膜を電極上に形成する工程と、基板を-100 °C〜0°Cに保持してその薄膜にレーザ光を照射する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル型太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
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