半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005011623
公開番号（公開出願番号）：WO2006-001369
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

本発明は、電流コラプスを抑制し、かつ絶縁耐圧、利得の低下を抑制することで、高電圧動作が可能であり、かつ理想的な高出力を実現できる半導体装置を提供する。基板101上に、第一のGaN系半導体からなるバッファ層102、第二のGaN系半導体からなるキャリア走行層103、第三のGaN系半導体からなるキャリア供給層104を形成する。一部の第一の絶縁膜107及びキャリア供給層104の一部を除去し、リセス構造108を作製する。次に、ゲート絶縁膜109を成膜し、更に、リセス部分108を埋め込み、かつ第一の絶縁膜107の残っている領域に、ソース電極側と比較してドレイン電極側が長くなるようにゲート電極110を形成する。該リセス構造を利用することで、高電圧動作が可能な高出力の半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物半導体からなり、ゲート電極と半導体層の間に絶縁膜を具備する電界効果トランジスタにおいて、該ゲート電極と半導体層の間に配された絶縁膜の厚さが二段階以上に変化することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617S , H01L29/78 618C , H01L29/80 H

Fターム (60件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F110AA07 , 5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG32 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F140AA25 , 5F140AA29 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD18 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF43 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140CC09

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