特許

J-GLOBAL ID：200903042351150742

成膜方法およびスパッター装置

発明者： 小林 利美 ,  山村 和市 ,  福島 慎泰
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335973
公開番号（公開出願番号）：特開平7-188914
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明の目的は、光磁気ディス用プラスチック基板に複数の成膜操作をを連続的に行うに際し、マスクの温度上昇を連続運転中に除去する方法、その装置および運転方法を提供することである。【構成】単一真空槽内で同一ガス環境下に連続または断続的に少なくとも2種類以上の薄膜を同一基板に積層する方法において、熱的に外部への接触点が少なく事実上断熱状態にあり、かつスパッター装置内に常駐するスパッターマスクに、該装置外部より減圧を破ることなく冷却部材をマスク部材に接触させてマスクを冷却することによって、直接スパッターを受けて蓄熱、温度上昇する基板および成膜済み薄膜を間接的に冷却することを特徴とする成膜方法およびその装置。

請求項（抜粋）：

単一真空槽内で同一ガス環境下に連続または断続的に少なくとも2種類以上の薄膜を同一基板に積層する方法において、熱的に外部への接触点が少なく事実上断熱状態にあり、かつスパッター装置内に常駐するスパッターマスクに、該装置外部より減圧を破ることなく冷却部材をマスク部材に接触させてマスクを冷却することによって、直接スパッターを受けて蓄熱、温度上昇する基板および成膜済み薄膜を間接的に冷却することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/31