半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280682
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114141
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基板などの被処理物を支持するステージの位置計測の高精度化と製品の歩留りの向上を図る。【解決手段】半導体基板を支持し、X方向5,Y方向6およびZ方向7に移動自在なXYステージ2と、XYステージ2により支持された前記半導体基板にLED光を照射してZ方向7の位置を計測する自動焦点機構と、XYステージ2にレーザ光8a,9aを照射してXYステージ2のX方向5の位置を計測するX軸レーザ照射系8およびY方向6の位置を計測するY軸レーザ照射系9と、XYステージ2に3本のレーザ光10aを照射してXYステージ2のZ方向7の位置を計測するZ軸レーザ照射系10とによって構成され、Z軸レーザ照射系10によってXYステージ2のZ方向7の絶対位置を計測し、この計測データを用いてXYステージ2により支持された前記半導体基板の傾斜成分を補正して露光を行う。

請求項（抜粋）：

相互に直角を成す3つの方向に移動自在なステージと、前記ステージに複数のレーザ光を照射して前記ステージの露光光軸と同じ方向であるZ方向の位置を計測するZ軸レーザ照射系とを備えた露光装置を準備する工程と、前記ステージに被処理物である半導体基板を配置する工程と、前記Z軸レーザ照射系によって前記ステージの前記Z方向の絶対位置を計測し、前記計測の結果に基づいて前記ステージによって支持された前記半導体基板の傾斜成分を補正する工程と、前記傾斜成分を補正した後、前記半導体基板に露光を行う工程と、前記露光後、前記半導体基板から半導体チップを取得し、この半導体チップを用いて半導体装置を組み立てる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 503 A , H01L 21/30 515 G , H01L 21/30 526 A

Fターム (13件)：

5F046BA04 , 5F046CC01 , 5F046CC03 , 5F046CC05 , 5F046CC16 , 5F046CC18 , 5F046CD01 , 5F046CD04 , 5F046DA05 , 5F046DA14 , 5F046DB05 , 5F046DC12 , 5F046DD03

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