特許
J-GLOBAL ID：200903042352597414
方位センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-126578
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、磁気抵抗素子を用いた方位センサに関し、端子接続部の信頼性を高めかつ工程を簡略化することを目的とする。【構成】 絶縁基板の一方の主面上に入力,出力,グランド電極3a及び磁気抵抗パターンを備えた磁気抵抗素子1と、インサート成型により内部にリードフレーム7を設け、このリードフレーム7の一端と前記電極3aとが電気的に接続されるように前記磁気抵抗素子1を保持するホルダー4と、前記ホルダー4に所定の巻数で形成された2つのバイアスコイル2a,2bとを備え、前記ホルダー4にはリードフレーム7の一端と前記電極3aとの接続部付近に接続用の導電性樹脂を溜めるためのくぼみ5を形成している。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の一方の主面上に入力,出力,グランド電極及び磁気抵抗パターンを備えた磁気抵抗素子と、インサート成型により内部にリードフレームを設け、このリードフレームの一端と前記電極とが電気的に接続されるように前記磁気抵抗素子を保持するホルダーと、前記磁気抵抗素子に直交するように前記ホルダーに所定の巻数で形成された2つのバイアスコイルとを備え、前記ホルダーに、リードフレームの一端と前記電極との接続部付近に接続用の導電性樹脂を溜めるためのくぼみを形成したことを特徴とする方位センサ。
引用特許：
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