特許
J-GLOBAL ID：200903042356078934
トレンチ分離形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241738
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082794
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 サイドエッチおよび熱酸化による多結晶シリコン膜の後退による欠陥およびゲート幅の細りのないトレンチ分離形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン半導体基板1上にゲート酸化膜2を形成し、CVD法により多結晶シリコン膜3を堆積する。その後、フォトリソグラフィー、ドライエッチングにより多結晶シリコン膜3をパターニングする。つぎに、N2 ガスを含んだプラズマ放電処理を行い、エッチングされた多結晶シリコン膜3の側壁にシリコン窒化膜7を形成した後、ゲート酸化膜2、シリコン半導体基板1のエッチングを行い、トレンチ分離領域を形成する。多結晶シリコン膜3の側壁に形成されたシリコン窒化膜7により、サイドエッチによるシリコン膜の後退と、熱酸化膜の形成によるシリコン膜の後退を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板上に、酸化膜を形成し、シリコン膜を堆積した後、分離領域のパターニングを行い、前記シリコン膜をドライエッチングする第1の工程と、この第1の工程においてパターニングされたシリコン膜側壁にシリコン窒化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜をエッチングする第3の工程と、前記シリコン半導体基板をエッチングしトレンチ分離部を形成する第4の工程とを含むトレンチ分離形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/318 A
