特許

J-GLOBAL ID：200903042357689465

回路基板の製造方法

発明者： 和泉 和之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252180
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 回路基板の製造方法に関し、薄膜導体を保護する為の材料及び工程順序を適切に選択する旨の簡単な手段に依って、薄膜導体を構成する金属の酸化や汚染を防止すると共に工程を簡略化しようとする。【解決手段】 基板1の一方の面に形成されているパターン化された薄膜導体層2Aを例えばポリイミドからなる層間絶縁膜4Aを形成して覆い、その状態を維持しつつ基板1の他方の面にパターン化された薄膜導体層2Bを形成してから層間絶縁膜4Bで覆い、層間絶縁膜4Aにビア・ホールを形成してからパターン化された薄膜導体層6Aを形成し、以後、このような工程を必要に応じて繰り返して多層回路基板を製造する。

請求項（抜粋）：

基板の一方の面に形成されているパターン化された薄膜導体層を層間絶縁膜で覆う工程と、次いで、前記状態を維持しつつ基板の他方の面にパターン化された薄膜導体層を形成してから層間絶縁膜で覆う工程と、次いで、前記層間絶縁膜の何れかにビア・ホールを形成してからパターン化された薄膜導体層を形成する工程が含まれてなることを特徴とする回路基板の製造方法。

FI (4件)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 K ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X