特許

J-GLOBAL ID：200903042358651577

薄膜トランジスタおよびその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078997
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267978
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 信頼性と特性に優れたアモルファスシリコンの活性層を有する逆スタガー型薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを安価に製造する方法を提供する。【構成】 基板上にゲイト電極、ゲイト絶縁膜、アモルファスシリコン膜を形成し、アモルファスシリコン膜に不純物を注入して、不純物領域(ソース、ドレイン領域)を形成した後、結晶化を促進する触媒元素を有する被膜を不純物領域に密着させるか、あるいは触媒元素をイオンドーピング法等の手段で不純物領域に導入し,しかる後に、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールしてドーピング不純物の活性化をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲイト電極と、ゲイト電極上に形成されたゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上に形成された半導体層を有し、該半導体層には1対の不純物領域と不純物領域に挟まれた活性領域が設けられ、該不純物領域中の結晶化を促進する触媒元素の濃度は、活性領域のものより大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 P