特許
J-GLOBAL ID:200903042361764560
液晶表示装置とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-051797
公開番号(公開出願番号):特開2002-250913
出願日: 2001年02月27日
公開日(公表日): 2002年09月06日
要約:
【要約】【課題】 アクティブマトリックス型液晶表示装置においてTFT基板の背面に設けられるバックライトからの光が遮光膜で反射し、スイッチング素子のチャネル領域に入射してしまうという問題点があった。【解決手段】 スイッチング素子のチャネル領域を遮光する遮光膜が、スイッチング素子を形成している半導体層と比べて、より広い波長域に光に対して、より大きな吸収を持つように構成する。これにより、バックライトからの光が遮光膜に入射した場合、TFTのチャネル領域で吸収可能な光は、遮光膜でほぼ吸収されるために、TFTのチャネル領域に入射する反射光を大幅に減少させることが可能となる。また、遮光膜の下の画素電極を還元して黒化することによってバックライト光に対する遮光性がより高められる。
請求項(抜粋):
互いに直交する複数のゲート信号線及びソース信号線と、前記両信号線の各交点近傍に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された画素電極とを備えた液晶表示装置において、前記スイッチング素子のチャネル領域を遮光する遮光膜が、前記スイッチング素子を形成している半導体層と比べて、同等あるいはより広い波長域に光に対して、同等あるいはより大きな吸収を持つことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件):
G02F 1/1335 500
, G02F 1/1368
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (5件):
G02F 1/1335 500
, G02F 1/1368
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 619 B
, H01L 29/78 627 C
Fターム (42件):
2H091FA34Y
, 2H091FA41Z
, 2H091FB08
, 2H091FB09
, 2H091FC02
, 2H091FC27
, 2H091FD04
, 2H091GA13
, 2H091LA03
, 2H092JA26
, 2H092JA46
, 2H092JB54
, 2H092MA04
, 2H092MA12
, 2H092MA16
, 2H092MA22
, 2H092MA37
, 2H092MA42
, 2H092NA25
, 2H092PA09
, 5F110CC07
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110HK02
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HL07
, 5F110HL23
, 5F110HL27
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN16
, 5F110NN44
, 5F110NN45
, 5F110NN46
, 5F110NN48
, 5F110NN72
, 5F110QQ01
, 5F110QQ12
, 5F110QQ14
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