炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308905
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115460
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 (11-20)面の炭化珪素基板に選択エピタキシャル成長を行う炭化珪素半導体装置の製造方法において、エピタキシャル膜の面荒れを防止する。【解決手段】 (11-20)面の炭化珪素基板を用意し、炭化珪素基板の上に所定形状のマスクパターンを有するマスク材を形成する。マスクパターンを構成する辺が、炭化珪素基板の(0001)面に対して所定角度以上(好ましくは3°以上)となるようにする。このマスク材を用いて炭化珪素基板上に選択エピタキシャル成長によりエピタキシャル膜を形成する。これにより、エピタキシャル膜形成工程で3C-SiCが形成されるのを防止でき、エピタキシャル膜の面荒れを防止できる。

請求項（抜粋）：

(11-20)面の炭化珪素基板を用意する工程と、前記炭化珪素基板の上に所定形状のマスクパターンを有するマスク材を形成する工程と、前記マスク材を用いて前記炭化珪素基板上に選択エピタキシャル成長によりエピタキシャル膜を形成する工程とを備え、前記マスクパターンを構成する辺を、前記炭化珪素基板の(0001)面に対して所定角度以上となるように形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36 A , H01L 29/78 301 B

Fターム (30件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077EE07 , 4G077HA06 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030JA20 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 5F045AB06 , 5F045AD18 , 5F045AE01 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045DB02 , 5F140AA00 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC13

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