特許

J-GLOBAL ID：200903042362537797

シリコン基材装置のための高誘電率ゲート酸化物

発明者： ミングウェイ ホン ,  アーメット レフィック コアタン ,  ジュエイナイ レイニエン クオ ,  ジョセフ ペトラス マナーツ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284349
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基材装置のための改良されたゲート酸化物材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Mn2O3形の高誘電性希土類酸化物(例えばGd2O3またはY2O3)を10-7torrよりも低いか、またはこれと等しい酸素分圧下で清浄なシリコン(100)基板表面上で成長させて、通常の超薄SiO2誘電体内に存在するトンネル電流を排除し、シリコン基板と誘電体との間の界面での生来の酸化物層の生成を回避する受容可能なゲート酸化物(誘電率(ε≒18)および厚さの点で)を作る。エピタキシャル膜は正規のシリコン基板上で成長させて高誘電性ゲート酸化物を作ることができる。

請求項（抜粋）：

[110]方向に沿って階段状パターンを示す主上面を形成するような所定の角ミスカット(angular miscut)を示す微傾斜シリコン(100)基板と、10-7torr以下の酸素分圧下で前記微傾斜シリコン基板の階段状主表面上に、それらの間にSiO2膜を生成することなく、所定の厚さtに堆積された誘電率ε≧4を示すMn2O3形の希土類酸化物とを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭47-024278