特許
J-GLOBAL ID：200903042364090021
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076707
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283792
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 活性層の両側に電流狭窄構造をもつ半導体レーザ装置において、電流狭窄による光吸収をなくし、低閾値、高効率を実現する。【構成】 活性層となる第1のGa1-X AlX As層4の主面をはさんで、リッジ部を有する一導電型の第2のGa1-Y1AlY1As層5およびこれとは逆の導電型でリッジ部を有する第3のGa1-Y2AlY2As層3を備えるとともに、第2のGa1-Y1AlY1As層5のリッジ部の長手方向の側面に沿ってこれとは逆の導電型の第4のGa1-Z1AlZ1As層7と、第3のGa1-Y2AlY2As層3のリッジ部の長手方向の側面に沿ってこれとは逆の導電型の第5のGa1-Z2AlZ2As層2とを備えており、AlAs混晶比X、Y1、Y2、Z1およびZ2の間に、Z1>Y1>X≧0なる第1の条件およびZ2>Y2>X≧0なる第2の条件のうち少なくとも一つの条件が成立する構成よりなる。
請求項（抜粋）：
活性層となる第1のGa1-X AlX As層をはさんで、リッジ部を有する一導電型の第2のGa1-Y1AlY1As層およびその第2のGa1-Y AlY1As層とは逆の導電型でリッジ部を有する第3のGa1-Y2AlY2As層を備えるとともに、前記第2のGa1-Y1AlY1As層のリッジ部側面の長手方向に沿ってその第2のGa1-Y1AlY1As層とは逆の導電型の第4のGa1-Z1AlZ1As層と、前記第3のGa1-Y2AlY2As層のリッジ部側面の長手方向に沿ってその第3のGa1-Y2AlY2As層とは逆の導電型の第5のGa1-Z2AlZ2As層とを少なくとも備えており、AlAs混晶比X、Y1、Y2、Z1およびZ2の間に、Z1>Y1>X≧0なる第1の条件およびZ2>Y2>X≧0なる第2の条件のうち少なくとも一つの条件が成立することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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